Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrate a cost effective 65-nm SOTB CMOS technology for ultra-low leakage applications. Novel single p+poly-Si/Hf/SiON gate stack of mid-gap work function and precise GIDL control achieved ultra-low leakage of 0.2 pA/µm, which corresponds to approx. 100nA/chip (100k gate logic). Now the SOTB technology can provide three options from ultra-low voltage to ultra-low leakage that covers a wide...
We demonstrated record 0.37V minimum operation voltage (Vmin) of 2Mb Silicon-on-Thin-Buried-oxide (SOTB) 6T-SRAM. Thanks to the small variability of SOTB (AVT∼1.3 mVµm) and adaptive back biasing (ABB), Vmin was lowered down to ∼0.4 V regardless of temperature. Both fast access time and small standby leakage were achieved by ABB.
A mechanism of DeltaVth variation of NBTI for SRAM load transistor is examined. The variation data is in good agreement with our proposed model. A large fluctuation of NBTI for small size pMOS is not observed in HCI measurement for nMOS, which may be due to the difference of recovery. Two types of equations to get DeltaVth from DeltaIdL by OTF measurement are compared and we have concluded which equation...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.