Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper describes the design considerations and performance of the highest frequency phase-locked loop (PLL) reported to date. The PLL was fabricated in a 0.13-μm SiGe BiCMOS process and integrates on a single die: a fundamental-frequency 86-92 GHz Colpitts voltage-controlled oscillator (VCO), a differential push-push 160-GHz Colpitts VCO with two differential outputs at 80 GHz, a programmable...
This paper motivates the use of continuous-time delta-sigma data converters for bandwidths above 100 MHz. Lowpass and bandpass designs implemented in SiGe BiCMOS and clocked at 20-50 Gb/s are described in the context of radio applications. Next, the viability of key building blocks is investigated in 65-nm GP CMOS including measurement results of a new opamp that achieves 50 dB of gain with 10 GHz...
In this paper, we presents the design and implementation of a BiCMOS operational amplifier topology that operates from a 2.5 V supply and achieves record gain-bandwidth performance. First, a fully-differential, single stage folded-cascode with tunable common-mode feedback is described. In order to improve the DC gain of this circuit, a second version is implemented with differential gain boosting...
This paper presents a wideband continuous-time DeltaSigma-modulator intended for multi-gigabit OFDM receiver applications. Two versions of the circuit were fabricated in a 130-nm SiGe BiCMOS process with 170 GHz fT in order to investigate the effect of finite quantizer gain and delay on dynamic range. The ADC achieves an SNDR of 44.3 dB over a 500 MHz passband and an SNDR of 37.1 dB over a 1 GHz passband...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.