Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The interfacial and electrical properties of sputtered Ti-incorporated Hf oxynitride on Ga2O3(Gd2O3) (GGO) with or without N2-plasma treated as an interfacial passivation layer (IPL) for Ge MOS capacitor are compared. It is found that low interface-state density ($3.4 \times 10^{11}$ cm$^{-2}$ eV$^{-1}$ ), small gate leakage current ($2.93 \times 10^{-5}$ A/cm2 at $V_{g} = V_{\mathrm{fb}} + 1$ ...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.