Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present a physics-based semi-analytical model of bulk heterojunction (BHJ) organic solar cell (OSC) for predicting the electrical characteristics of the device, taking into account the space dependency of generation rate profiles. The model enables us to derive the J-V characteristics of BHJ OSC without the need of a closed form expression of arbitrary carrier generation rate (which may not exist),...
Using molecular dynamics simulations, it is shown that a carbon nanotube (CNT) suspended in water and subjected to a rotating electric field of proper magnitude and angular speed can be rotated with the aid of water dipole orientations. Based on this principle, a rotational nanomotor structure is designed and the system is simulated in water. Use of the fast responsiveness of electric‐field‐induced...
A compact analytical model of minority carrier -concentration is presented for an exponentially-doped quasi-neutral region of Silicon solar cell. It is an iteration-free and integral-free mathematical expression that addresses the non-uniformity in doping and contribution from terrestrial solar spectrum. Due to the position dependency of transport parameters, the differential equation becomes intractable...
This paper determines the coefficients of an empirical expression of approximated carrier generation rate in Si, Ge, GaAs, InP and Al0.3Ga0.7As solar cells for AM1.5G and AM1.5D spectrum to simplify the analysis of a (n+p) solar cell properties and offers an optimization of different parameters for silicon based solar cell. Generation rate from this expression fit closely the result obtained from...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.