Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Displacement-damage induced degradation in AlGaN/AlN/GaN HEMTs with polarization charge induced 2DEGs is examined using simulations and experiments. Carrier removal in the unintentionally doped AlGaN layer changes the space charge in the structure and this changes the band bending. The band bending decreases the 2DEG density, which in turn reduces the drain current in the device. The effect of the...
Displacement-damage induced degradation in AlGaN/AlN/GaN HEMTs with polarization charge induced 2DEGs is examined using simulations and experiments. Carrier removal in the unintentionally doped AlGaN layer changes the space charge in the structure and this changes the band bending. The band bending decreases the 2DEG density, which in turn reduces the drain current in the device. The effect of the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.