Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Data stability of static random access memory (SRAM) circuits has become an important issue with the scaling of CMOS technology. Memory arrays are also an important source of leakage since the majority of transistors are utilized for on-chip caches in today's high performance microprocessors. Two six transistor SRAM cells based on independent-gate FinFET technology (IG-FinFET) are described in this...
Data in conventional six transistor (6T) static random access memory (SRAM) cells are vulnerable to noise due to the direct access to the data storage nodes through the bit lines during a read operation. A new nine transistor (9T) SRAM cell is proposed in this paper for simultaneously enhancing read stability and reducing leakage power consumption. The proposed 9T SRAM cell isolates the data from...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.