Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a novel fabrication process to realize high density silicon based quantum dot devices with close proximity Al and Si gates on ultrathin silicon-on-insulator for spin qubit applications. Al gates surrounding a Si nanowire channel can adjust tunnelling barrier height electrically, while Si plunger side gates enable precise control of the quantum dots potential. This device is fabricated...
This paper presents the realization of a FinFET double quantum dots transistor on ultrathin silicon-on-insulator. In this platform, three Al FinFET gates surround the Si device layer channel forming electrically tunable potential barriers; Si plunger side gates are included to enable precise control of the quantum dots potential. This device is fabricated using a multi-layer electron beam lithography...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.