Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper we investigate two important device metrics, intrinsic gate-delay and energy-delay product of triple-gate junctionless nanowire transistors (JNTs) with gate lengths from 22 nm down to 15 nm, for different channel doping concentrations and compare them with those of triple-gate inversion-mode (EVI) nanowire field-effect transistors. Our study shows although intrinsic gate-delay is larger...
We investigate the effect of symmetrical geometrical constrictions on the electrical characteristics of ultrathin silicon-on-insulator nanowires with a trigate structure using a 3-D numerical quantum simulator. Introducing barriers at the source and drain junctions profoundly alter the device physics and a transition from 1-D to 0-D quantum behavior is observed. The constrictions create resonance...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.