Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this letter, we present SONOS nonvolatile memory device with gate-all-around polycrystalline silicon (poly-Si) nanowire channel. The SONOS memory cell with 23-nm nanowire width, fabricated using top-down CMOS process, exhibits fast programming and erasing speed as well as improved subthreshold behavior of the transistor. Both the memory and transistor characteristics are dependent on the nanowire...
We present vertical gate-all-around (GAA) silicon nanowire transistors on bulk silicon wafer utilizing fully CMOS compatible technology. High aspect ratio (up to 50:1) vertical nanowires with diameter down to ~ 20 nm are achieved from lithography and dry-etch defined Si-pillars with subsequent oxidation. The surrounding gate length is controlled using etch back of the sacrificial oxide. n- and p-MOS...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.