Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this letter, it is demonstrated that 4H-SiC MOSFETs with borosilicate glass (BSG) as the gate dielectric result in significantly higher channel mobility than standard nitride oxide annealed devices, due to lower density of near-interfacial traps at the BSG/SiC interface. Using a thin Antimony-doped surface layer in conjunction with the BSG dielectric results in higher channel mobility at room temperature...
The effect of roughness at the SiC/SiO2 interface on electrical properties of 4H-SiC MOS devices has been investigated. Variations in surface roughness were generated by annealing 4H-SiC samples at high temperatures (1550°C-1650°C) with or without a graphitic cap layer. Subsequently, gate oxides were grown on these surfaces for n-type MOS capacitors and n-channel MOSFETs were fabricated. Although...
Structural, magnetic and optical properties of Gd:GaN layers, which are grown by reactive molecular beam epitaxy (RMBE) with different Gd concentrations, are studied using X-ray diffraction (XRD), photoconductivity, photoluminescence (PL) spectroscopy and vibration sample magnetometry (VSM) techniques. Our study reveals that the incorporation of Gd produces a large concentration of acceptor-like defects...
Optimisation of High Voltage (HV) devices is typically governed by life-time considerations, most notably requirements for sufficient immunity against Hot Carrier Injection (HCI). Based on insight in the different degradation mechanisms in HV-SOI, we have identified distinctive acceleration methodologies for on- and off-state stress conditions.
The SiO2/SiC interface limits optimum SiC MOSFET performance due to a high density of interface states (D????), which is reduced in devices that receive post-oxidation NO-annealing. Also, the interface state density in the 6H polytype is generally lower, approaching that of the NO treated 4H. In this work, interface states are investigated in both as-oxidized (AO) and NO-annealed (NO) MOS capacitors...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.