Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work, we propose a novel Si-compatible resonant plasma-wave transistor (R-PWT) with 2D silicene channel for a high-performance terahertz (THz) electromagnetic (EM) wave emitter. High resonance quality i.e. narrow emission spectra can be obtained by high mobility of 2D silicene channel (μ= 2×105 cm2V−1·s−1) since nanoscale channel length L can be much smaller than the maximum channel length...
In this work, we have shown that plasma-wave transistor (PWT) operates as a terahertz (THz) emitter below maximum gate length (Lmax). Because the channel mobility (μ) of strained silicon (sSi) is higher than silicon (Si), we investigate how emission frequency range and Lmax of sSi PWT THz emitter are improved compared to Si PWT THz emitter by analyzing the effect of momentum relaxation time (τp) and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.