Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Owing to the large bandgap, breakdown electric field (Eb) and high carrier mobility, wide-bandgap semiconductor (e.g. SiC and GaN) based power devices have been extensively studied for next-generation power-switching applications [1-2]. Recently, a new wide-bandgap oxide semiconductor, gallium oxide (β-Ga2O3), has attracted attention for power-switching applications because it has an extremely large...
We explore the effects of metal contacts on the operation and scalability of 2-D graphene field-effect transistors (GFETs) using detailed numerical device simulations based on the nonequilibrium Green's function formalism self-consistently solved with the Poisson equation at the ballistic limit. Our treatment of metal–graphene (M–G) contacts captures the following: 1) the doping effect due to the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.