Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A physics-based analytical and compact device model for an enhancement-mode gallium nitride gate injection transistor is presented in this work. The model is implemented in Saber® using MAST hardware description language (HDL). The physics-based model allows the user to extract the model parameters from the dc I-V and C-V characteristics that are readily available in the device datasheets. The classical...
A physics-based compact gallium nitride power semiconductor device model is presented in this work, which is the first of its kind. The model derivation is based on the classical drift-diffusion model of carrier transport, which expresses the channel current as a function of device threshold voltage and externally applied electric fields. The model is implemented in the Saber® circuit simulator using...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.