Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The basic analog parameters of three splits of InxGa1–xAs nTFETs are analyzed for the first time. The first two splits are In0.53Ga0.47As devices with a 3-nm HfO2/1-nm Al2O3 and a 2-nm HfO2/1-nm Al2O3, while the last one is an In0.7Ga0.3As channel with a 3-nm HfO2/1-nm Al2O3 gate. The low equivalent oxide thickness improves the electrostatic coupling, enhancing ${I}_{{\text {DS}}}$ , and, consequently,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.