Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Ferroelectric random access memories (FRAM) are nonvolatile memories which allow a fast access time and a low power consumption. State-of-the-art devices are based on the perovskite lead zirconate titanate (PZT), which suffers from CMOS incompatibility resulting in scaling issues. The discovery of the ferroelectricity in doped hafnium oxide enabled scaled 3D memory devices. A variety of dopants has...
HfO2-based ferroelectrics reveal full scalability and CMOS integratability compared to perovskite-based ferroelectrics that are currently used in non-volatile ferroelectric random access memories (FeRAMs). Up to now, the mechanisms responsible for the decrease of the memory window have not been revealed. Thus, the main scope of this study is an identification of the root causes for the endurance degradation...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.