Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we investigate the link between various resistive memory (RRAM) electrical characteristics: endurance, window margin (WM), and retention. For this purpose, several RRAMs are characterized using various resistive layers and bottom electrodes. By focusing on one technology and optimizing programming conditions (current, voltage, and time), we establish a tradeoff between endurance and...
In this paper, a detailed reliability analysis of metal-oxide CBRAM devices is presented. We demonstrated that the addition of a thin metal-oxide layer in the bottom of the memory stack significantly increases the ROFF and the memory window (more than 1 decade), with improved endurance performance. At the same time, high thermal stability was also achieved (window margin constant during more than...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.