Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A development of the VeSTIC technology is reported. The manufacturing of the test structures with different types of transistors is described. The electrical 1-V characteristics of the MOS and junction field effect transistors and of the bipolar junction transistors produced in VeSTIC technology were measured. Basic parameters of the test devices were extracted using the simple device compact models...
A method for fabrication of VeSFETs, three-dimensional fin-type MOS transistors is presented. The VeSTIC process was developed and experimentally implemented in ITE. The test devics were manufactured, and their electrical characteristics were measured. Methods for extraction of a set of the VeSFET physical parameters are proposed based on the device compact model. The flat-band voltage, mobility and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.