Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Well designed tunneling green transistor may enable future VLSIs operating at 0.1V. Sub-60mV/decade characteristics have been convincingly demonstrated on 8" wafers. Large ION at low VDD are possible according to TCAD simulations but awaits verification. VDD scaling will greatly benefit from low (effective) band gap energy, which may be provided by type II heterojunctions of Si/Ge or compound...
IC power consumption is not only a package thermal issue but also a significant and fast growing part of the world electricity consumption. A new low voltage transistor could contribute greatly to the need for a new Vdd scaling scenario. Green transistor (gFET) is based on tunneling and provides Ion and Ioff far superior to MOSFET at 0.2V if suitable low-Eg material is introduced into IC manufacturing.
IC power consumption is not only a package thermal issue but also a significant and fast growing part of the world electricity consumption. A new low voltage transistor could contribute greatly to the need for a new Vdd scaling scenario. Green transistor (gFET) is based on tunneling and provides Ion and Ioff far superior to MOSFET at 0.2 V if suitable low-Eg material is introduced into IC manufacturing.
MOSFET gate oxide scaling limits are examined with respect to time-dependent breakdown, defects, plasma process damage, mobility degradation, poly-gate depletion, inversion layer thickness, tunneling leakage, charge trapping, and gate delay. It is projected that the operating field will stay around 5 MV/cm for reliability and optimum speed. Tunneling leakage prevents scaling below 2 nm, which is sufficient...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.