Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The goal of this work is to study parameters related to the analog performance of tunnel field effect transistors (TFETs). The obtained results have been analyzed in terms of temperature variation (ranging from 25°C to 150°C) and source composition (Sh-xGex and 100% Si). The first part is focused on characteristic curves of the drain current as a function of gate voltage and drain voltage. Next step...
The analog performance of hetero-junction vertical NanoWire Tunnel FETs (NW-TFETs) with different Ge source compositions (27% and 46%) is studied and compared to Si source devices. Although the NW-TFETs with the highest amount of Ge at the source present the highest transconductance (lower bandgap and higher BTBT predominance), the NW-TFETs with 27% Ge source present a better intrinsic voltage gain...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.