Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This work presents one of the first low power pH sensing microfluidic chip based on the heterogeneous integration of: (i) high-k FinFET sensors with liquid gate, (ii) miniaturized Ag/AgCl quasi-Reference Electrode and (iii) passive microfluidic. The integration of these three components provides a fully integrated and compact platform that could be exploited for ionic monitoring in biofluids for healthcare...
In this work we propose and demonstrate the use of a Tunnel FET (TFET) as capacitorless DRAM cell based on TCAD simulations and experiments. We report more experimental results on Tunnel FETs implemented as a double-gate (DG) fully-depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) devices. The Tunnel FET based DRAM cell has an asymmetric body and a partial overlap of the top gate (L $_{\rm G1}$ ) with a total...
In this paper we present and validate a model for predicting the inverse subthreshold slope, SS, improvement in a ferroelectric FET as a function of the negative swing (Landau's α parameter), α=dP/dE of the polarization under negative capacitance operation. The model is experimentally validated at room temperature based on Fe-FET using a P(VDF-TrFE) copolymer as dielectric and showing sub-thermal...
In this paper we report the fabrication and detailed electrical characterization of a novel test structure based on Metal-Ferroelectric-Oxide-Semiconductor transistor with internal metal contact, aiming at extracting the surface potential and the investigation of internal voltage amplification expected due to negative capacitance effect. The proposed test structure is p-Fe-FET with a thin Al contact...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.