Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper reviews the experimental state-of-the-art in access resistance reduction in Ge devices. Special attention is paid to the doping and thermal annealing state-of-the-art, highlighting in particular those techniques that have been applied to Si devices, but have not yet been properly optimised in Ge. We also look forward to emerging novel processes for access resistance reduction.
In this paper, the contact resistivity of NiGe on n-doped Ge is extracted. Although phosphorus is the slowest n-type dopant in terms of diffusion in Ge, the corresponding contact resistivity data for this dopant are sparse. Contact resistivity dependence on implant dose will be determined, as well as a comparison of phosphorus- and arsenic-doped Ge layers. The impact of high contact resistance is...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.