Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Conventional memories approaching their scaling limit, reversible resistance switching effects attract considerable attention because of the potential for high density non volatile memory devices. These resistive switching phenomena have been reported in many simple transition metal oxide films such as TiO2 or NiO deposited by standard sputtering techniques. This paper is investigating the feasibility...
Bi-stable resistive switching phenomena controlled by external voltages has drawn much attention for high-density nonvolatile memory devices, the resistive memory materials ranging from organic to inorganic materials, with either metallic or conductive oxide electrodes. These resistive switching phenomena have been reported in many simple transition metal oxide films such as CuOx, TiO2, NiO or ZrO...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.