Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper we engineer the programming method at 10μA in Cu/Al2O3-based CBRAM to reduce the bit dispersion and the state instability over time. Despite its large median value, the overall HRS/LRS ratio in these devices can be drastically reduced due to the LRS and HRS dispersion, especially in a low-current regime. For this reason, in this study we adopt a statistical approach, focusing on the...
In this work, we present a systematic electrical characterization of TiN\HfO2\Hf\TiN RRAM elements from the variability perspective. Variability of both programmed resistance values and switching triggering voltages has been evaluated on small scaled cells in a wide operating current range (2µA till 500µA's), for different oxide stacks, in DC and pulsed conditions. For the first time device-to-device...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.