Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A linearity enhancement technique to a CMOS triple cascode push-pull power amplifier (PA) by second harmonic feedback has been proposed. The Second harmonic feedback is optimized to improve linearity based on the concept that the linearity is depend on the second harmonic feedback amplitude and phase. In order to feed second harmonics back to the push-pull PAs, we adopt a balun with a branching filter...
A novel linearization technique to a CMOS push-pull power amplifier (PA) by second harmonic injection has been proposed. In order to inject second harmonics to the PAs, a new balun with a branching filter has been proposed and fabricated by using multi-layered organic substrates. The PA was fabricated in 0.18-μm CMOS process and was implemented on the balun by flip-chip connection. Because of the...
A novel linearization technique to a CMOS push-pull power amplifier (PA) by second harmonic injection has been proposed. In order to inject second harmonics to the PAs, a new balun with a branching filter has been proposed and fabricated by using multi-layered organic substrates. The PA was fabricated in 0.18-µm CMOS process and was implemented on the balun by flip-chip connection. Because of the...
A novel planar type broadband balun having a symmetrical structure has been proposed. Considering a lossless and uniform material, balun operation is analyzed and impedance matching condition is formulated. Applying the proposed balun configuration, and using CMOS multi-layer structure, a CMOS on-chip balun has been fabricated. The fabricated balun has achieved ultra-broadband performance. Measured...
For small size and low cost mobile terminals on millimeter wave radio communication, we design and fabricate 60 GHz-band broadband power amplifier (PA) using a 90 nm silicon complementary metal oxide semiconductor (Si-CMOS) process. In designing high linear gain PA, transistor size optimization method of PA is used. Target output power is 7 dBm in single-end and 10 dBm in push-pull structure. With...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.