Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents analytical formulas to extract an equivalent circuit model for coupled through silicon via (TSV) structures in a 3D integrated circuit. We make use of a multiconductor transmission line approach to model coupled TSV structures. TSVs are embedded in a lossy silicon medium, hence they behave as metal-insulator-semiconductor (MIS) transmission lines. The models we present can accurately...
TSVs are are separated with a thin dielectric liner from the lossy Silicon substrate, hence they behave as metal-insulator-semiconductor (MIS) structures. They support slow-wave and dielectric quasi-TEM modes, which are characteristic for MIS transmission lines. This paper presents the electrical design and modeling of a new TSV type, called metal semiconductor (MES) TSV. In MES TSV, there is no dielectric...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.