Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We directly image terahertz waves generated by optical rectification of tilted-pulse-front optical pulses in LiNbO3. The terahertz generation efficiency is highest when the pump-pulse tilt angle is equal to the THz Cherenkov angle.
Terahertz time-domain spectroscopy is used to measure the temperature-dependent refractive index of heavy oils down to 80 K. Evidence for a glass transition is observed, providing insight into the viscosity-temperature behavior of heavy oils.
Nonlinear dynamics of free-carriers in direct bandgap semiconductors at terahertz (THz) frequencies is studied using high power, few-cycle pulses. The physical mechanisms that give rise to such dynamics will be discussed in details.
Nonlinear dynamics of free-carriers in direct bandgap semiconductors at terahertz (THz) frequencies is studied using high power, few-cycle pulses. Techniques as Z-scan and THz-pump/THz-probe are employed to explore nonlinear interactions in both n-doped and photoexcited systems. The physical mechanism that gives rise to such interactions will be discussed in details.
Nonlinear dynamics of free carriers in direct bandgap semiconductors at terahertz (THz) frequencies is studied using the intense few-cycle source available at the Advanced Laser Light Source (ALLS). Techniques such as Z-scan and optical-pump/THz-probe are employed to explore nonlinear interactions in an n-doped InGaAs thin film and a photoexcited GaAs sample, respectively. The physical mechanism that...
The nonlinear interaction of intense few-cycle terahertz pulses with free carriers in semiconductors is studied in both n-doped and photoexcited systems. Intervalley scattering is found to cause ultrafast modulation and bleaching of the terahertz absorption.
We have performed open-aperture Z-scan measurements on n-doped InGaAs using intense few-cycle terahertz pulses. We observe a significant bleaching of the terahertz pulse absorption attributed to terahertz-electric-field-induced intervalley carrier scattering.
We report on terahertz pulse generation by optical rectification of intense femtosecond laser pulses in a large aperture ZnTe single-crystal wafer, and on the possible applications to nonlinear THz optics.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.