Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents the superior electron and hole mobility on a single orientation Ge substrate for compact and cost-effective CMOS applications. The different scattering mechanisms of electron and hole mobility are discussed for understanding carrier transport physics. On the basis of this understanding, the highest electron mobility of 437 cm2/Vs and hole mobility of 213 cm2/Vs at Ns=1e13 cm−2...
We clarified wafer-related origins for electron mobility degradation in Ge n-MOSFETs. High-Ns electron mobility was dramatically improved thanks to (i) atomically flat Ge surface formation, followed by (ii) layer-by-layer oxidation. (iii) Oxygen-related neutral impurities in Ge substrates could be another origin of the mobility reduction on Ge wafers. By successfully eliminating these scattering sources...
The impact of epitaxial NiSi2 S/D on MOSFET performance has been investigated. Atomically flat NiSi2/Si (111)-facet interface and straight S/D edges irrespective of the gate edge roughness contribute to suppressing SCE
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.