Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We have proposed a (111)-faceted metal source and drain (S/D) with a metal gate and a high-k gate dielectric for aggressively scaled complementary metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs). The metal S/D is formed by epitaxially grown nickel disilicide. N-type or p-type dopants are segregated in the atomically flat metal/Si interfaces that help to reduce the effective Schottky...
Self-organized (111) faceted NiSi2 source and drain structure with segregated dopants in the NiSi2/Si interfaces has been proposed for aggressively scaled SOI MOSFETs. The advantages of this source and drain structure are a superior short-channel effect (SCE) immunity and a very small parasitic resistance. The SCE is suppressed by a trapezoidal shape of the channel and by a small variation in the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.