Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We propose a two-step oxidation with high-pressure oxidation and low-temperature oxygen annealing to form ideal Ge/GeO2 stacks based on thermodynamic and kinetic control. The capacitance-voltage (C-V) characteristics of Ge/GeO2 MISCAPs with two-step oxidation revealed significant improvements of electrical properties, and the interface states density (Dit) estimated with a low-temperature conductance...
We have demonstrated very high electron mobility in Ge n-MOSFETs which exceeds the universal one in Si-MOSFETs. The peak electron mobility on Ge n-MOSFETs is about 1100 cm2/Vsec in Al/GeO2/Ge stack. This has been achieved by taking care of Ge/GeO2 channel interface based on thermodynamic and kinetic control. Since it is clarified that the mobility is still limited by remaining scattering sources,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.