Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The paper is focused on the influence of packaging technologies on the performance of inertial MEMS sensors. System simulations of MEMS are vital to evaluate and optimize the interplay of transducer cells with the sensor electronics. Special emphasis must be put on packaging aspects in order to assess the impact of environmental and operating conditions on functional parameters as capacitance offset...
Due to the demand of the industry for an increase of the number of I/Os, while decreasing the die size, the bond pads had to shrink and design restrictions for the active structures underneath had to fall. This leads to new challenges for the electrical probing and the mechanical robustness of the under-pad structures. This paper presents analytical and numerical simulation approaches for predicting...
This paper presents modeling and simulation techniques for the the dynamic behavior of inertial sensors. A detailed model of a sensor is generated at the continuous field level, which considers multiple physical domains, such as structural dynamics, fluidics and electrostatics. To reduce the large order of the problem, a compact model is derived by decomposition of the deformation field into basic...
The objective of this paper is presenting two energy based failure criteria and applying them in reliability simulations of Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) structures. Of particular interest are the Back-End-Of-Line (BEOL) interconnect layers and their interfaces. It is an accepted fact that process-induced flaws due to a mismatch in the Coefficients of Thermal Expansion (CTE) of the...
One key failure root cause during wafer production is the electrical test by probing all interconnects of each die of the wafer. The probing process can result in excessive damage of the back end of line (BEOL) wafer layers underneath the probe pad, especially if brittle low-k dielectrics are used. The industry is trying to reduce design limitations for these under pad areas. A 3D sub-modeling simulation...
The continuous industry drive for miniaturization and function integration forces the development of feature sizes down to the nanometer regime. Although the industry has just solved the major problems in CMOS090 technology, a new hurdle is to be taken: CMOS065. And again, new materials will be introduced. Black Diamond-I, used in CMOS090, will be replaced by Black Diamond-II(x). This new material...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.