Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The paper presents theory and perspective of four-terminal silicon piezoresistive transducer (FTSP). FEM modeling and applications in pressure, moisture, and acidity sensing is also presented. The paper also discussed silicon nanowires and giant piezoresistive effect.
The simple phenomenological model of nanosize piezoresistor is proposed. The analytic description of the effect of shear strain, caused by free faces of the piezoresistor, on the normal strains epsiv1 and epsiv2 is presented. This allows correct interpretation of the experimental results. It is shown that when the cross-section of the p-type piezoresistor is less than 4000 nm2 the constants m11 and...
The simple phenomenological model of nanoscale piezoresistor is suggested. An analytical description of the influence of shear strains caused by existing the free borders of piezoresistor, on normal strains epsiv1 and epsiv2 is given. It allows to interpret correctly the experimental data. It is shown that under the decreasing the cross-section of p-type nanoscale piezoresistor less than 4000 nm2...
This paper presents the comparison of sensitivity between four-terminal silicon piezotransducers (FTSP transducers) and piezoresistive bridge. This comparison is carried out for the transducer fabricated on the silicon diaphragm with crystal plane [100] and n type of conductivity. It was suggested that the current spread region (CSR) of FTSP transducer have p type of conductivity, the thickness of...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.