Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Integrated high frequency devices require high permittivity dielectric materials with low loss as well as low sintering temperatures. Ceramics with higher permittivity (50<??r<350) than conventional low temperature co-fired ceramics (5 < ??r < 10) will drive further miniaturization of embedded capacitor components and resonators. For microwave and mmwave frequency systems, new integration...
Thin films of Pb0.92La0.08Zr0.52Ti0.48O3 were deposited on Ni foils by chemical solution deposition to form film-on-foil capacitors with high dielectric constant. These capacitors can be embedded into printed wire boards. We measured dielectric constants of 1300 (at 25°C) and 1800 (at 150°C), as well as leakage current densities ≈6.6 × 10−9 (at 25°C) and 1.4 × 10-8 A/cm2 (at 150°C), breakdown field...
Thin films of Pb0.92La0.08Zr0.52Ti0.48O3 were deposited on Ni foils by chemical solution deposition to form film-on-foil capacitors with high dielectric constant. These capacitors can be embedded into printed wire boards. We measured dielectric constants of 1300 (at 25??C) and 1800 (at 150??C), as well as leakage current densities ??6.6 ?? 10??9 (at 25??C) and 1.4 ?? 10-8 A/cm2 (at 150??C), breakdown...
Integrated high frequency devices require high permittivity dielectric materials with low loss as well as low sintering temperatures. Ceramics with higher permittivity (50≪□r≪350) than conventional low temperature co-fired ceramics (5 ≪ □r ≪ 10) will drive further miniaturization of embedded capacitor components and resonators. For microwave and mmwave frequency systems, new integration concepts will...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.