Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Terahertz conductivity of InGaN/GaN MQWs was studied by time-resolved terahertz spectroscopy. Restoration of the built-in piezoelectric field leads to a nonexponential carrier density decay. Terahertz conductivity spectrum is described by the Drude-Smith model.
We use time-resolved terahertz spectroscopy to explore ultrafast carrier dynamics, transport, and localization in photoexcited nanocrystalline silicon films. The measured terahertz conductivity reveals a transition from free to localized behavior as the amount of disorder in the film increases, which is well-described within the framework of the Drude-Smith model.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.