Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Damage-free, self-organized Cu dual-damascene (DD) interconnects have been developed for 45nm-node ULSIs with novel "seamless low-k SiOCH stacks" (SEALS) featured by compositional modulation in PECVD processes. In the SEALS (keff=2.9), a carbon-rich porous SiOCH (k=2.45) is stacked directly on an oxygen-rich porous-SiOCH (k=2.7) without etch-stop (ES) or buffer layer, while a non-porous,...
By a novel oxygen absorption process, low oxygen-content Cu-alloy is implemented for fully-scaled-down, 45 nm-node dual damascene interconnects (DDIs) with 140 nm-pitched lines and 70 nmOslash-vias. In this process, a very thin metal film as an oxygen absorber, which has larger negative change in the standard Gibbs free energy of oxidation than a barrier metal, is put on a natural oxide at a surface...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.