Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report a high kink-free facet power of 852 mW and a high single-wavelength facet power of 350 mW for 1060-nm raised-ridge Fabry-Perot (FP) and distributed-feedback (DFB) lasers, respectively.
Summary form only given. Wavelength control and cost reduction are important issues for wavelength-division multiplexed (WDM) transmitters. We investigate an innovative WDM transmitter that can solve the above problems. We show the design of the WDM transmitter. The long wavelength (1.3/1.55 /spl mu/m) laser has a vertical-cavity surface-emitting (VCSEL) GaAs-AlAs QW structure where a micromachined...
A novel semiconductor laser formed by monolithically integrating an array of active stripes with a passive planar waveguide bearing an etched-in diffraction grating is reported. Laser emission occurs from different stripes at different, precisely predetermined, wavelengths. It is expected that this laser will find widespread application in wavelength division multiplexed networks.<<ETX>>
The characteristics of 1.57 mu m InGaAsP/InP surface emitting lasers based on an in-plan ridged structure and 45 degrees beam deflectors defined by angled focused ion beam (FIB) etching are reported. With an externally integrated beam deflector, threshold currents and emission spectra identical to conventional edge emitting lasers are achieved. These results show that FIB etching is a very promising...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.