Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The recently available precursor biphosphinoethane (BPE) was used, alongside with phosphine and with tertbutylphosphine (TBP), to grow advanced multiquantum-well (MQW) laser wafers with five quaternary, compressive strained wells. The lowest threshold current densities and the lowest optical losses were obtained with BPE. In particular, the lowest threshold current density, 328 A/cm/sup 2/, is a record...
Excellent 1.3 micrometer buried heterostructure laser devices were realised for the first time with active light-emitting layers grown from the alternative phosphorous precursor TBP instead of phosphine. A wider temperature range than previously reported was explored for growth under TBP. The replacement of phosphine appears entirely feasible, albeit expensive.<<ETX>>
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.