Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
n+-Ge/n-4H-SiC heterojunctions were formed by surface activated bonding. The electrical characteristics of the heterojunctions were experimentally investigated by measuring their current-voltage (I–V) and capacitance-voltage (C-V) measurements. The band diagram of heterojunctions was estimated based on the C-V characteristics.
The electrical properties of n+-Si/n-GaN junctions by room-temperature bonding were investigated. The n+-Si/n-GaN junctions exhibited linear current-voltage characteristics.
We have demonstrated very high electron mobility in Ge n-MOSFETs which exceeds the universal one in Si-MOSFETs. The peak electron mobility on Ge n-MOSFETs is about 1100 cm2/Vsec in Al/GeO2/Ge stack. This has been achieved by taking care of Ge/GeO2 channel interface based on thermodynamic and kinetic control. Since it is clarified that the mobility is still limited by remaining scattering sources,...
We observed and characterized broadband terahertz emission from our original plasmon-resonant emitter structured by dual-grating gate high electron mobility transistors (HEMT's). The samples are fabricated in two structures: a standard single-heterostructure HEMT with metallic grating gates and a double-decked (DD) HEMT with semiconducting 2-dimensional electron gas (2DEG) grating gates. The mechanism...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.