Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The PVD-TiN metal-gate SOI-CMOS integrated circuits including inverters and ring oscillators have successfully been fabricated on a half-inch (100)-oriented SOI wafer using the minimal-fab and mega-fab hybrid process, and their electrical characteristics have systematically been investigated. It was experimentally found that almost an ideal subthreshold slope (SS) of 67 mV/decade and an extremely...
The threshold voltage variability in the scaled crystal channel and poly-Si channel double-gate fin-type metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (FinFETs) with different gate oxide thicknesses has been systematically analyzed. By investigating the dependence of variations in crystal channel FinFETs, the gate-stack origin sources, i.e., work function ...
An independent-gate four-terminal FinFET SRAM have been successfully fabricated for drastic leakage current reduction. The new SRAM is consisted of a four-terminal (4T-) FinFET which has a flexible Vth controllability. The 4T-FinFET with a TiN metal gate is fabricated by a newly developed gate separation etching process. By appropriately controlling the Vth of the 4T-FinFET, we have successfully demonstrated...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.