Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report on the operation of electrically pumped 1.3µm InAs QD laser directly grown on a Si substrate using InAlAs/GaAs dislocation filter layers with a threshold current density of 194A/cm2 and output power of ~80mW.
The first quantum dot laser under simultaneous three-state lasing operation at room temperature has been realised. The device exhibits ground state lasing at 1306 nm, the fist excited state lasing at 1213 nm and the second excited state lasing at 1152 nm synchronously. This is attributed to the long carrier relaxation time from higher energy levels to lower energy levels.
A bandgap and intersublevel spacing tuned laser and a broadband quantum dot superluminescent diodes have been realized by using a modulation p-doped InGaAs/GaAs quantum dot structure, which utilises a post-growth annealing process. The intermixed laser exhibits comparable light-current characteristics, indicating little detrimental change to the quantum dot laser material, and show a ground-state...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.