Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a Si-CMOS-MEMS fabrication process that forms released structures out of a 10 µm CMOS metal and oxide stack along with a 50 µm-thick section of the underlying silicon substrate. The process employs back-side silicon grinding that provides silicon mean roughness of 20 nm and maximum peak-to-valley roughness of 264 nm. The thinned MEMS substrate is bonded with solder preforms to...
This paper presents a Si-CMOS-MEMS fabrication process which leaves the back-side silicon under the CMOS metal and oxide layers, and improves the uniformity of the back-side silicon using back-side grinding. The Si-CMOS-MEMS process includes a grinding process followed by a bonding process and conventional post-CMOS etch. A Si-CMOS-MEMS accelerometer is used to demonstrate the feasibility of the Si-CMOS-MEMS...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.