Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The electrical performance of RF magnetron sputtered Hafnium-Indium-Zinc-Oxide-based thin film transistors (HIZO TFTs) is compared using two different gate dielectrics: a) RF sputtered HfO2 and b) thermally grown SiO2. For HfO2 devices, output characteristics showed higher drain-currents capabilities with a reduction of the TFT operation voltage range from 0–15 V, when using SiO2, to 0–8 V. The HfO...
Bias stress study is presented in Metal-Insulator-Semiconductor structure using Indium-Gallium-Zinc oxide film on top of HfO2, deposited by pulsed laser deposition and atomic layer deposition, respectively. The produced effect on this interface is analyzed through hysteresis measurements at different bias conditions for several periods of time.
We investigated the effects of hafnium oxide (HfO2) gate dielectric thickness and forming gas annealing on threshold voltage instability in zinc oxide thin film transistors using a variety of gate voltage - drain current testing methodologies. We found that dielectric thickness reduction and annealing significantly decreased the threshold voltage instability and the Vt reduction remained over an extended...
An important issue regarding the design of support vector machines (SVMs) is considered in this article, namely, the fine tuning of parameters in SVMs. This problem is tackled by using a self-adaptive genetic algorithm (GA). The same GA is used for feature selection. We validate our results implementing some statistical tests based on single domain benchmark data sets, which are used for comparison...
Polymethyl methacrylate (PMMA) is an organic material widely used in electronic photoresists. Recently, pentacene OTFTs were fabricated using this material as dielectric film, which is considered to have a dielectric constant similar to SiO2. In this paper we characterize PMMA layers in order to determine its dielectric constant, current density and interface states density when used as a gate dielectric...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.