Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
GaN‐based lateral Schottky barrier diodes (SBDs) have attracted great attention for high‐power applications due to its combined high electron mobility and large critical breakdown field. However, the breakdown voltage (BV) of the SBDs are far from exploiting the material advantages of GaN at present, limiting the desire to use GaN for ultra‐high voltage (UHV) applications. Then, a golden question...
Schottky Barrier Diodes
GaN is a promising candidate for next‐generation power electronic devices, but its potential is far from being realized. In article number 2107301, Peng Chen, Rong Zhang, Youdou Zheng, and co‐workers demonstrate a high power figure‐of‐merit, 10.6‐kV AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diode with single channel, and sub‐100‐μm anode‐to‐cathode spacing without any other additional...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.