Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Local terahertz fields of multiple 10 MV/cm tailored in gold metamaterials drive electronic interband transitions in intrinsic GaAs. The bandgap exceeds the THz photon energy 400-fold. Photoluminescence microscopy maps the THz near-field distribution.
Ga(NAsP) multi quantum well heterostructures were grown pseudomorphically on exactly oriented (001) silicon substrates without the formation of misfit dislocations. Optical pumped lasing operation was observed at temperatures up to 125 K.
We report lasing of optically pumped Ga(NAsP)/(BGa)(AsP) heterostructures grown lattice-matched on Si. Modal gain of up to 80 cm-1 is determined at 300 K and a distinct threshold behaviour and mode spectrum is observed up to 100 K.
Transient gain measurements are performed for (Galn)As quantum well structures. Gain up to 2000 cm-1 on a timescale of several hundred ps is observed. A microscopic model quantitatively provides theoretical support without introducing fit parameters.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.