Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper it is shown that HfO2 and HfZrO oxides suffer from large VT instabilities, up to 230mV, when the device width (W) is scaled down to 80nm. It is explained by undesirable lateral oxygen diffusion through the spacers, which mainly modifies the metal workfunction in narrow transistors. HfSiO(N) oxides exhibit a much better immunity to this effect, attributed to a different crystallinity...
In this work we present the integration of Band Engineered TANOS-like memories using HfSiON in the tunnel stack to boost the programming efficiency and improve cycling. An accurate correlation analysis between the gate-stack material physical properties and the memory performances is presented. In particular, the importance of the nitridation step of HfSiON on the memory retention characteristics...
This paper compares, for the first time, the scalability of physical- and chemical-vapor-deposited (PVD and CVD) TiN on HfO2 as a gate stack for FDSOI cMOSFETs down to 25nm gate length and width. It is shown that not only the intrinsic material properties but also the device architecture strongly influences the final gate stack properties. Reliability issues, stress and gate control in the sub-35nm...
For the first time, we report fully depleted SOI MOS transistors with WSix gate on HfO2. Gate work function, dielectric properties and channel mobility are presented in terms of Si/W ratio and compared to TiN gate devices. A 35% electron mobility gain was obtained with a WSix gate device as compared to a TiN gate transistor. It was found that both mobility and dielectric characteristics were drastically...
For the first time, we report ultra-thin fully depleted silicon-on-insulator MOS transistors with WSix metal gate on HfO gate dielectric down to 40nm gate length. Gate work function, short channel performance and carrier mobility are presented and compared to TiN gate devices. Higher mobility values are obtained with a WSix metal gate device in comparison with a TiN metal gate transistor
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.