Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Several fundamental physics problems concerning ferroelectric thin films are discussed with direct application to industry problems. The first is a model of dielectric breakdown under d.c. voltage stressing, extended from single capacitor films to multilayer capacitors (MLCs). The second is an analysis of flash-over (arcing) breakdown in MLCs, including those with base metal electrodes (Ni). The third...
Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) thin films and nanotube were prepared on SiO2/Si substrates by liquid source misted chemical deposition (LSMCD) using Samco MD-6060 apparatus. We report the deposition and characterization of transparent ferroelectric thin films and nanotubes. PZT thin films deposited at ambient conditions and annealing at 700degC exhibit good ferroelectric properties with remanent polarisation of...
We describe the application of misted chemical solution deposition (CSD) techniques to processing of ferroelectric-filled porous silicon photonic devices and of novel precursor medium- and high-dielectric constant films for gate oxide and memory applications.
Diamond-like carbon (DLC) thin films were deposited under deposition temperature control using the plasma pulsed CVD method (five seconds deposition and three minutes cooling repeatedly). We investigated the effects of the deposition temperature on reactive ion etching (RIE) with oxygen plasma for these DLC films in terms of self-bias voltages, etching temperatures, surface profiles, contact angles...
Hard amorphous hydrogenated carbon (a-C:H) thin films were deposited by the r.f. (13.56 MHz) self-bias method using 2-methyl-propane as the source gas. To achieve stress reduction, we used the periodic plasma deposition technique: repeated cycles of alternating 5 s of deposition (plasma on) with 180 s of cooling (plasma off). Substrate temperature changes during the plasma deposition were monitored...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.