The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
W artykule przedstawiono porównanie procesu utleniania termicznego krzemu oraz węglika krzemu, kładąc nacisk na metody opisu i modelowania zjawiska wzrostu warstwy SiO₂ otrzymywanej na odpowiednim podłożu. Przedyskutowano możliwości adaptacji modeli kinetyki utleniania opracowanych dla krzemu (model Deala-Grova oraz model oparty o zjawisko emisji międzywęzłowych atomów krzemu z interfejsu) do zastosowań...
W artykule zaprezentowano analizę wpływu czynników konstrukcyjno- technologicznych (dokładność fotolitografii, głębokość i profil domieszkowania złączy p-n, parametry warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik, właściwości użytego dielektryka), które są krytyczne z punktu widzenia parametrów elektrycznych tranzystorów MOS mocy (napięcie przebicia, napięcie progowe, maksymalny prąd drenu, prąd upływu...
W artykule przedstawiono porównanie procesu utleniania termicznego krzemu oraz węglika krzemu w zakresie metod opisu i modelowania zjawiska wzrostu warstwy SiO2 na odpowiednim podłożu. Przedyskutowano możliwości adaptacji modeli kinetyki utleniania opracowanych dla krzemu (model Deala-Grove'a oraz model oparty o zjawisko emisji międzywęzłowych atomów krzemu z interfejsu) do zastosowań w technologii...
W artykule przedstawiono wyniki symulacji tranzystora LJFET wykonanego na podłożu 4H-SiC. Wbudowane w symulator ATLAS parametry materiałowe i modele przerwy energii zabronionych, ruchliwości i jonizacji zderzeniowej rozszerzono i uzupełniono o dane zaczerpnięte z literatury. Parametry struktury tranzystora LJFET optymalizowano pod kątem uzyskania maksymalnej wartości napięcia przebicia (Vbr) i minimalnej...
Ir/4H–SiC and IrO 2 /4H–SiC Schottky diodes are reported in terms of different methods of surface pretreatment before contact deposition. In order to find the effect of surface preparation processes on Schottky characteristics the SiC wafers were respectively cleaned using the following processes: (1) RCA method followed by buffered HF dip. Next, the surface was oxidized (5.5nm oxide) using...
Polish Government Program ldquoNew technologies based on silicon carbide and their applications in high frequency, high power and high temperature electronics rdquo covers an project package that consists of three general tasks. The contribution presents the overview of projects in the field dealing with the design and manufacturing of power SiC semiconductor devices.
W pracy zaprezentowano możliwości symulacji charakterystyk elektrycznych przyrządów wykonanych na podłożach z węglika krzemu na przykładzie diod Schottky'ego i tranzystorów MOSFET i JFET. Wszystkie przyrządy modelowane były przy użyciu oprogramowania Atlas firmy Silvaco [1]. W przypadku diod Schottky'ego przeprowadzono analizę i optymalizacje różnych wariantów technologii pod kątem wytworzenia diody...
Mikroelektronika jest fundamentem przemysłu technik informacyjnych. Wartość sprzedaży systemów elektronicznych, które bez mikroelektroniki istnieć by nie mogły osiągnęła obecnie 1000 mld USD stawiając ten przemysł na pierwszej pozycji nie tylko ze względów cywilizacyjnych i strategicznych, ale także rynkowych. Udział półprzewodników w wartości sprzedaży systemów elektronicznych systematycznie wzrasta...
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.