Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The electrical behavior of deca-nanometer ISE MOSFET with gate stack: ISEGaS has been investigated and a computationally efficient analytical model using Evanescent Mode Analyses (EMA), for solving two-dimensional Poisson's equation in the channel region, has been presented for accurate prediction of surface potential, electric field, subthreshold current and threshold voltage. An important short...
In this paper, a universal and computationally efficient subthreshold model for sub-100-nm nonuniformly doped channel MOSFET has been presented. The model incorporates drain-induced barrier lowering effect by means of the short-channel depletion width parameter d, which is evaluated using the voltage doping transformation method. The model can accurately predict the following: 1) surface potential;...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.