Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We realized lithographically-defined electrically-tunable silicon quantum dots (Si QDs) without unintentional localized potentials by improving device structures and fabrication techniques. Carrier density was tuned with a top gate and QD-potentials were controlled with the side gates. We succeeded in observing spin-related tunneling phenomena using the double QD device.
We investigate novel serially-connected multiple single-electron transistors (MSETs) as a single-charge polarisation readout for silicon integrated charge qubits. We first design and analyse the double single-electron transistors (DSETs) in which double quantum dots are connected in series with two side gates. We show that the DSETs are sufficiently sensitive to distinguish all the single-charge polarisation...
Quantum dot structures, where electrons are confined three-dimensionally in the below 10 nm scale, show characteristics quite different from conventional bulk structures. Recent progress in the fabrication technology of silicon nanostructures has made possible observations of novel electrical and optical properties of silicon quantum dots, such as single electron tunneling, ballistic transport, visible...
This paper reports on integration of two silicon (Si) charge quantum bits (qubits) and series-connected double single-electron transistors (DSETs) as readout for the first time. We design and fabricate the DSETs composed of double quantum dots (DQDs) connected in series with two side gates patterned on a silicon-on-insulator substrate. The individual SETs are sufficiently sensitive to detect single-charge...
We performed HF treatment to silicon quantum dots with diameter of 8 nm plusmn 1 nm fabricated by VHF plasma decomposition process. We observed PL wavelength shift from 750 nm to 620 nm for 8 nm to 2.5 nm diameter nc-Si dots.
We studied visible EL from size-controlled silicon quantum dots with diameter of 8 nmplusmn1 nm fabricated by VHF plasma decomposition process. We observed EL from nc-Si quantum dots with applied voltage above 12 V.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.