Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
ESD reliability of MOS gate dielectrics and of input circuitry is investigated for a 90 nm CMOS technology. Performance degradation is observed at voltages lower than the breakdown voltage. It is found that the input transistor gate dielectric breakdown voltage depends strongly on the source-body voltage and, consequently, on the input circuit design.
Dielectric liquids subjected to enforced motion in narrow ducts exhibit anomalous but reproducible breakdown behavior[1]. Furthermore the velocity dependent dielectric integrity of such an arrangement is characteristically different for sustained and impulse electric stress[2-4]. The physical mechanisms responsible for electrical breakdown in these circumstances are complex since it is known that...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.