Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work, we report on ZrO2 position effect of ALD HfZrOx gate dielectric with a La2O3 capping layer for gate-first flow. The basic electrical characteristics of devices were compared with different ZrO2 position in HfZrOx dielectric. Experimental results show : (1) Under top La2O3 capping layer for n-type Metal-Oxide-Silicon capacitor (nMOSCAP) device, ZrO2 position on both of top and bottom...
Dielectric breakdown in advanced gate stacks in state-of-the-art Si nanoelectronic devices has been one of the key front-end reliability concerns for further CMOS technology downscaling. In this paper, we present the latest findings in using physical analysis techniques such as transmission electron microscopy (TEM)/electron energy loss spectroscopy (EELS)/energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS),...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.